EasyCKTCircuit Design Tools
POWER STAGE / SYNCHRONOUS BUCK

회로를 보며, 바로 설계.

입력칸을 바꾸면 동작점과 파형이 함께 바뀝니다.

전압 기준
01 회로 · 동작 조건이상적 스위치 · CCM 모델
동기식 Buck 전력단위쪽 VIN에 연결된 HS NMOS와 아래쪽 LS NMOS의 공통 접점 SW에서 인덕터 L을 거쳐 VOUT으로 연결됩니다. COUT과 부하는 출력과 접지 사이에 병렬 연결됩니다. 왼쪽 PWM 컨트롤러가 두 MOSFET의 게이트를 구동합니다. VINQHSQLSSWLCOUTRLOADVOUT PWMHSPWMLS iL
입력 전원 VIN
V
DC supply
MOSFET QHS / QLS
이상적 스위치
온저항을 반영하려면 상단에서 켜세요.
인덕터
µH
%
ΔIL — A pp
출력 전압 VOUT
V
출력 전력 — W
출력 커패시터
µF
mV pp
mΩ
C는 DC bias 반영 후 실효값
부하 IOUT
A
등가 부하 — Ω
PWM 컨트롤러 GATE DRIVE
tON — ns
직접 입력 흰색 칸 / 자동 계산 청록색 칸220n · 4.7u · 1M 입력 가능
전류 리플 ΔIL——
출력 리플 ΔVOUT——
인덕터 peak / RMS——
LC 공진주파수——

인덕터 전류

iL(t) · A

출력전압 리플

vOUT(t) − VOUT · mV
계산식 · 모델 범위 · 상세 결과

계산 상세

적용한 모델

기본 모델은 이상적 단상 Buck의 정상상태 CCM입니다. 온저항·DCR 반영 시 평균 부하전류에 의한 전압 강하를 고려해 Duty 또는 VOUT을 구하고, 그 동작점에서 삼각파 리플을 근사합니다. 저항에 의한 정확한 지수형 전류는 계산하지 않습니다.

VOUT ≈ D·VIN − IOUT·[D·RHS + (1−D)·RLS + DCR]

L 자동은 전류 리플 목표로 L을 구합니다. C 자동은 ΔVC,pp + ΔVESR,pp ≤ 전압 리플 목표를 만족하는 최소 실효 C를 보수적으로 산정합니다. 실제 표시 리플은 C와 ESR 전압을 시간축에서 합산한 peak-to-peak 값입니다.

부품 공차, 온도 변화, 인덕터 포화·코어 손실, ESL, 스위칭 스파이크, deadtime, 제어 루프 및 부하 과도응답은 미포함입니다. 이 결과만으로 전체 효율이나 안정성을 판정하지 않습니다.

TI · Buck 전력단 계산 ↗ TI · MOSFET 손실 계산 ↗